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【团体标准】 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

本网站 发布时间： 2023-11-06
  • T/CASAS 026-2023
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为20ns～200μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。

基本信息

  • 标准号：

    T/CASAS 026-2023

  • 标准名称：

    碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

  • 英文名称：

    Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2023-06-19

  • 实施日期：

    2023-06-19

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31-030

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏

  • 起草单位：

    山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

  • 归口单位：

    北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

  • 提出部门：

    北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

  • 发布部门：

    北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
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