【团体标准】 氮化铝抛光片位错密度的测试腐蚀坑法

氮化铝（这里指2H-AlN）作为重要的超宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，在紫外光电器件、高温/高频功率电子及射频微波器件等领域具有巨大应用前景。氮化铝晶体中的位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD），其典型位错密度为103-106个/cm2。基于氮化铝抛光片进行同质外延时，抛光片中的部分位错会向外延层中延伸，导致外延层中存在大量扩展型位错缺陷。这些位错缺陷的存在严重影响了氮化铝基器件的性能、可靠性和寿命。因此，氮化铝抛光片中位错密度的有效测试对单晶生长及其外延工艺优化、提升器件性能至关重要。目前我国缺乏氮化铝抛光片位错密度的测试标准，因此特制定本标准。