T/CASAS049—2025《光治疗用柔性LED光源?拉伸度测试方法》描述了面向光治疗的柔性可拉伸LED光源（以下简称“光源”）拉伸度的测试方法，包括测试原理、仪器和工具、试样准备、试验条件、试验程序、数据结果和试验报告。适用于在可穿戴光治疗仪中柔性可拉伸LED光源的的研发生产、检测分析等，可拉伸的OLED、半导体激光器件等柔性光源可参考使用。

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本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。本文件适用于GaN功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：1）GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；2）GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；3）以上的晶圆级及封装级产品。

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T/CASAS058—2025《光治疗用柔性LED光源?拉伸弯曲可靠性试验方法》描述了面向光治疗的柔性LED光源（以下简称“光源”）拉伸弯曲可靠性的测试方法，包括原理、仪器和工具、试样准备、试验条件、试验程序、数据处理和试验报告。适用于在可穿戴光治疗仪中柔性LED光源的的研发生产、检测分析等，可拉伸、弯曲的OLED（有机发光二极管）、半导体激光等柔性光源可参考使用。

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氮化铝（这里指2H-AlN）作为重要的超宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，在紫外光电器件、高温/高频功率电子及射频微波器件等领域具有巨大应用前景。氮化铝晶体中的位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD），其典型位错密度为103-106个/cm2。基于氮化铝抛光片进行同质外延时，抛光片中的部分位错会向外延层中延伸，导致外延层中存在大量扩展型位错缺陷。这些位错缺陷的存在严重影响了氮化铝基器件的性能、可靠性和寿命。因此，氮化铝抛光片中位错密度的有效测试对单晶生长及其外延工艺优化、提升器件性能至关重要。目前我国缺乏氮化铝抛光片位错密度的测试标准，因此特制定本标准。

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本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。本文件适用于封装级GaNHEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。

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T/CASAS059—2025《光治疗用柔性LED光源?辐照度均匀性测试方法》描述了面向光治疗的柔性、可拉伸LED阵列光源（以下简称“光源”）弯曲及拉伸条件下辐照度均匀性测试方法，包括测试原理、试样、仪器和设备、试验条件、试验步骤、数据处理和试验报告。适用于光源在平面、弯曲、拉伸等物理状态下光接收面的光辐照度均匀性测试，其他光医疗光源的光照均匀性测试方法可根据适用性参照执行。

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本文件规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域的具有复合结构的氮化镓外延片的研发生产，测试分析及质量评价。

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氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，具有超宽禁带宽度(6.2eV)、高热导率[3.2W/(cmK)]、高表面声波速率(VL=10.13×105cm/s，VT=6.3×105cm/s)、高击穿场强（15.4MV/cm）和稳定的物理化学性能，是紫外/深紫外发光材料的理想衬底，基于此衬底制作的AlxGa1-xN材料可以实现200nm～365nm波段内的连续发光；此外，AlN材料可以制作耐高压、耐高温、抗辐射和高频的电子器件。所以，AlN晶体在深紫外发光器件、高功率微波器件、抗辐照器件等领域具有巨大的市场潜力。AlN单晶理论上对波长大于200nm的光几乎完全透过，晶体成透明色。但是，目前生长出的AlN单晶多呈棕色或暗棕色，对深紫外波段(200nm～300nm)的光有较强的吸收，从而影响基于AlN单晶衬底的深紫外发光器件性能。这些吸收主要由AlN单晶缺陷所致，包括碳、氧、硅杂质，以及各种点缺陷。同时，这些缺陷会成为深能级施主或受主使得由AlN衬底制备的光电子器件性能下降。透射率/吸收系数是AlN晶片衬底非常重要的特征参数，一定程度上代表了作为发光器件衬底材料的质量。因此，AlN晶片透射率/吸收系数，特别是特定波长范围的透射率/吸收系数，对AlN衬底晶片的应用具有重要意义。

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