【团体标准】高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法

本网站发布时间： 2025-09-16

T/CASAS 057-2025
现行
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标准简介

适用范围：

本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。本文件适用于GaN功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：1）GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；2）GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；3）以上的晶圆级及封装级产品。

基本信息

标准号：
T/CASAS 057-2025
标准名称：
高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法
英文名称：
Test method for continuous-switching operation reliability of GaN power devices under high frequency switched conditions
标准状态：
现行
发布日期：
2025-08-29
实施日期：
2025-08-29
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、刘强、高伟
起草单位：
厦门三安集成电路有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、北京大学东莞光电研究院、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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