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【国家标准】 发光二极管芯片点测方法

本网站 发布时间： 2019-01-02
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适用范围：

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 36613-2018

  • 标准名称：

    发光二极管芯片点测方法

  • 英文名称：

    Probe test method for light emitting diode chips

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2018-09-17

  • 实施日期：

    2019-01-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.260

  • 中标分类号：

    L45

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    16 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    蔡伟智 梁奋 刘秀娟 李国煌 吕艳 金威 邵晓娟 周钢 时军朋

  • 起草单位：

    三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、广州赛西标准检测研究院有限公司

  • 归口单位：

    中华人民共和国工业和信息化部(电子)

  • 提出部门：

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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