【团体标准】 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

本网站发布时间： 2023-11-06

T/CASAS 003-2018
现行
定价：无文本 / 折扣价： 0 元
在线阅读

开通会员免费在线看70000余条国内标准，赠送文本下载次数，单本最低仅合13.3元！还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权！查看详情>>

标准简介

适用范围：

SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。

基本信息

标准号：
T/CASAS 003-2018
标准名称：
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
英文名称：
4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
标准状态：
现行
发布日期：
2018-11-20
实施日期：
2018-11-20
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
起草单位：
东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

其它标准

上一篇： T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语
下一篇： T/CASAS 004.1-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语

推荐标准