【团体标准】宽禁带半导体术语

本网站发布时间： 2023-11-06

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标准简介

本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。

起草人：
丁晓民、张安平、陈志忠、陈鹏、李顺峰、贾传宇、陈梓敏、王锡铭、丁雄杰、陆敏、孙国胜、崔波、郑智斌、张国义、高伟、于坤山
起草单位：
北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京大学宽禁带半导体研究中心、南京大学、中山大学、国宏中宇科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、广东先导稀材股份有限公司、厦门华联电子股份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、东莞清芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

【团体标准】 宽禁带半导体术语