【团体标准】功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验

本网站发布时间： 2023-11-06

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标准简介

本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件。

标准号：
T/IAWBS 009-2019
标准名称：
功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
英文名称：
High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices
标准状态：
现行
发布日期：
2019-12-27
实施日期：
2019-12-31
出版语种：

起草人：
张瑾、仇志杰、宁圃奇、陆敏、李尧圣、陈艳芳、魏跃远、王泽兴、潘志坚、冷轶群、刘祎晨、林雪如
起草单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京新能源汽车技术创新中心有限公司、深圳吉华微特电子有限公司
归口单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
提出部门：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
发布部门：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

【团体标准】 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验