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【团体标准】 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法

本网站 发布时间： 2023-11-06
  • T/IAWBS 010-2019
  • 现行
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标准简介标准简介

适用范围：

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。

基本信息

  • 标准号：

    T/IAWBS 010-2019

  • 标准名称：

    碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法

  • 英文名称：

    Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2019-12-27

  • 实施日期：

    2019-12-31

  • 出版语种：

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

  • 字数：

  • 开本：

其他信息

  • 起草人：

    佘宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤

  • 起草单位：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公司

  • 归口单位：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  • 提出部门：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  • 发布部门：

    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
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