【团体标准】碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

本网站发布时间： 2023-11-06

T/CASAS 001-2018
现行
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标准简介

适用范围：

碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域广泛应用，而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。随着SiC肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启，Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性，也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展，制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》，以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作。

基本信息

标准号：
T/CASAS 001-2018
标准名称：
碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范
英文名称：
General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes
标准状态：
现行
发布日期：
2018-09-21
实施日期：
2018-09-21
出版语种：

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
字数：
开本：

其他信息

起草人：
许恒宇、李金元、柏松、李诚瞻、刘鹏飞、万彩萍、查祎英、刘奥、周维、赵璐冰、高伟
起草单位：
中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司
归口单位：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
提出部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布部门：
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

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