本文件规定了聚焦离子束法制备透射电镜试样的仪器设备、环境与样品要求、试样制备和试验记录。
本文件适用于金属材料，半导体、矿物等无机非金属材料及高分子材料等固态材料的透射电镜试样制备。
本文件适用于各种类型的聚焦离子束场发射扫描电镜双束系统，单束系统和多束系统参照执行。

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本文件规定了用聚焦离子束扫描电镜对致密岩石微孔隙进行三维成像的方法。
本文件适用于泥岩、页岩、致密碳酸盐岩、致密砂岩和煤岩等岩石50 nm⁓20 μm的微纳米级孔隙分析，其他地质样品参照执行。

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本文件给出了用电子探针显微分析仪或者扫描电镜的波谱仪附件获得试样特定体积内（μm3尺度）的X射线谱进行元素鉴别和确认特定元素存在的方法。

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本文件界定了分析化学中基础化学、抽样与前处理、化学分析、电化学分析、光谱分析、色谱分析、质谱分析、核磁共振波谱分析、热分析、数据处理类的术语和定义。
本文件适用于分析化学标准、技术文件、书刊的编写与应用。

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本文件规定了用于透射电子显微镜观察聚合物复合材料的超薄切片样品制备方法及技术规范。
本文件适用于常温或冷冻条件下能进行超薄切片的聚合物复合材料制样。

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本文件规定了俄歇电子能谱仪特定性能参数的表述要求。
本文件适用于俄歇电子能谱仪的性能参数表述。

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本文件界定了液相色谱法的术语、定义及符号。
本文件适用于液相色谱法标准、技术文件和书刊的编写。
本文件不适用于电泳。

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本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。
本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm，其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。

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本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱（SIMS）仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器，但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导，这些参数能使用此程序进行优化，还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。

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本文件规定了化学品固液鉴别流动性测定法的试验概述、试验设备、样品处理、试验步骤和结果判定。本文件适用于不能确定熔点的黏性或糊状化学品的固体与液体形态鉴别。

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本文件界定了在AEM实践中所用的术语。包含一般概念和特定概念的术语，按照系统顺序中各自的层次分类。
本文件适用于所有和 AEM 实践相关的标准化文件。此外，本文件的某些部分适用于相关领域（如 TEM, STEM, SEM, EPMA, EDX)通用术语的定义。

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本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导，包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。

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本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。
本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。
本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。
注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。

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本文件描述了用氩气吸附静态容量法测定石墨烯粉体比表面积的方法。
本文件适用于测定具有Ⅱ型(分散的、无孔或大孔)和Ⅳ型(介孔，孔径2 nm~50 nm)吸附等温线的石墨烯粉体的比表面积。含有少量微孔、吸附等温线呈现出Ⅱ型和Ⅰ型相结合或Ⅳ型和Ⅰ型相结合的石墨烯粉体的比表面积测定亦适用。其他类型的碳基纳米材料，如碳纳米管、碳纤维、多孔炭等比表面积的测定参照使用。

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