本文件描述了分析人员利用全反射X射线荧光(TXRF)仪器开展水样测量的化学方法。根据良好的操作实践，本方法具有确定的准确度和精密度。本文件适用于开展大量样品常规分析且按照ISO/IEC 170251)运作的实验室。
本文件描述了水(例如，饮用水、地表水、地下水)中溶解性元素含量的测定方法。考虑到特定和额外发生的干扰，按照本方法也能测定废水和洗脱液中的元素。本文件不包括采样、稀释和预浓缩方法。
本方法能测定的元素会随着仪器X射线源的改变而发生变化。本文件未涉及健康、安全和商业因素。
测量范围取决于样品基体和遇到的干扰。对于饮用水和相对未被污染的水，大多数元素的定量限介于0.001 mg/L~0.01 mg/L。测量范围通常介于0.001 mg/L~10 mg/L的浓度区间，取决于测量元素和预先设定的要求。
附录B给出了钼靶X射线源、Ga作为校准内标时的TXRF分析水样的完整方法验证示例。
大多数元素的定量限会受到空白污染的影响，且主要依赖于所使用的实验室空气处理设施以及试剂的纯度和实验器具的清洁程度。

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本文件描述了采用辉光放电质谱法（GDMS)测量锗酸铋（BGO)晶体中杂质元素的方法。本文件适用于BGO晶体材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 μg/g~1 000 μg/g（质量分数)。通过合适的标准样品校正，也适用于测量质量分数大于1 000 μg/g的杂质元素含量。

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本文件给出了在数据表、分析证书、涉及制备用于表面化学分析时纳米物体处理的报告或其他出版物中应报告的信息。这些信息对于确保促进应用这些材料的研究和技术所需的分析可靠性和再现性是必需的，并获得对可能的纳米物体环境和生物影响的恰当理解。这些信息除了其他与样品的合成、加工历史及表征有关的详细资料外，并宜成为有关材料来源和其自产生以来发生的变化的数据记录（有时被确认为源信息）的一部分。
本文件包括了资料性附录。附录总结了与纳米物体相关的挑战性问题，强调了需要在材料数据记录中加强文件化和报告（见附录A）,并提供了通常从用于表面化学分析的溶液中提取颗粒的方法示例（见附录B）。相关样品数据的示例集展示于附录C。
本文件未规定确保所描述的分析测量得到恰当实施所需的仪器类型或操作程序。

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本文件规定了利用透射电子显微镜（TEM）测量金属薄晶体中位错密度的设备、试样、测定方法、数据处理、测定结果的不确定度和试验报告。本文件适用于测定晶粒内不高于1×1015m-2的位错密度。也适用于测量几十纳米至几百纳米厚度金属薄晶体试样中单个晶粒内的位错密度。

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本文件描述了常规分析中确认静态二次离子质谱正离子相对强度标的重复性和一致性的方法。本文件适用于安装有荷电中和电子枪的仪器，不用于校正强度随质量变化的响应函数，校正可由仪器制造厂商或其他机构进行。本文件提供数据以确认仪器使用时的相对强度一致性，提供可影响一致性的一些仪器参数的设置指南。

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〓〓本文件描述了测定纳米多孔材料储氢量的静态容量气体吸附的方法。本文件适用于以物理吸附储氢的碳材料、沸石、金属有机框架材料、多孔有机聚合物等纳米多孔材料储氢量的测定。其他多孔材料储氢量的测定也可参照使用。

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本标准规定了有关工业用化学产品采样的最常用的术语。

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本文件适用于电子探针显微分析（EPMA）中使用的单相标准样品（有证参考物质，CRMs），并给出了标准样品应用于平整抛光表面显微分析的使用指南。本文件不适用于有机和生物标准样品。

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本标准规定了气相色谱法的一般术语、仪器、固定相和流动相、色谱参数、色谱图及其他、符号。 本标准适用于气相色谱法。

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本标准规定了硅片工作标准样品表面元素铁和/或镍的化学收集方法（气相分解法或直接酸性液滴分解法）和全反射X射线荧光光谱法（TXRF）测定。

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本标准规定了在俄歇电子能谱和X射线光电子能谱均匀材料定量分析中相对灵敏度因子的实验测量和使用指南。

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本标准给出了使用电子背散射衍射(EBSD)技术进行晶体取向测量的指南，使测量数据具有较高的可靠性和重复性，本标准确立了试样制备、仪器配置、校正以及数据采集的一般原则。
本标准适用于EBSD对块状晶体样品的晶粒取向分析。

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本标准规定了进行电子探针分析时的入射电子束、波谱仪和试样的实验参数测定的一般原则，并规定了束流、束流密度、死时间、波长分辨率、背底、分析面积、分析深度和分析体积的测定过程。
本标准适用于垂直入射电子束对抛光试样的分析，对于其他实验条件，这些实验参数只能作为参考。
本标准不适用于能谱法。

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