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【国家标准】 多晶硅　痕量元素化学分析　辉光放电质谱法

本网站 发布时间： 2017-11-01
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适用范围：

本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 33236-2016

  • 标准名称：

    多晶硅　痕量元素化学分析　辉光放电质谱法

  • 英文名称：

    Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2016-12-13

  • 实施日期：

    2017-11-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    71.040.40

  • 中标分类号：

    G04

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    22 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    卓尚军、钱荣、董疆丽、申如香、盛成、高捷、郑文平

  • 起草单位：

    中国科学院上海硅酸盐研究所

  • 归口单位：

    全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

  • 提出部门：

    全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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