本标准规定了溅射深度剖析中测量溅射深度的准则。
本标准适用于结合离子轰击剥离部分固体样品的表面化学分析技术，通常溅射深度可达几微米。

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针对于常规分析使用的电子枪能量至少为2 keV的俄歇电子能谱仪，本标准规定了一种评估其强度标的重复性和恒定性的方法。它仅适用于配备了溅射清洁用离子枪的仪器。本标准并非旨在成为一种强度/能量响应函数的校准，这种校准可由仪器厂商或者其他机构制定。本方法提供数据以评估和确认仪器使用中强度/能量响应函数保持恒定的精度，对可影响这种恒定性的一些仪器设置给出了指导。

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本标准规定了辉光放电原子发射光谱法分析锌和/或铝基合金镀层中镀层厚度、镀层质量(单位面积)和金属镀层中化学成分。需要考虑的合金化元素有镍、铁、硅、铅和锑。
本标准适用的元素质量分数范围:锌(0.01%～100%)，铝(0.01%～100%)，镍(0.01%～20%)，铁(0.01%～20%)，硅(0.01%～10%)，铅(0.005%～2%)，锑(0.005%～2%)。

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本标准适用于X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。本标准帮助操作者完成整个分析过程，包括样品处理，谱仪校准和设定以及宽扫描谱和窄扫描谱的采集,并给出了定量和准备最终报告的建议。

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本标准提供了表面化学分析样品安装和表面处理方法的指导。目的是帮助分析人员理解在使用俄歇电子能谱、二次离子质谱和X射线光电子能谱等表面分析技术进行分析时，所必需的专门样品处理条件。

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本标准规定了高通量基因测序技术的术语与定义，测序的原理、技术指标、相关主要仪器、测序试剂及配制和测序方法的要求。
本标准适用于对动物组织、血液、粪便、口腔黏膜、毛发、植物组织、土壤、微生物等生物样品进行高通量基因测序。
本标准适用于单向测序、双向测序、混合样品测序三种类型的测序，也适用于表达谱测序、ChIP测序、癌症研究和分型、miRNA测序、微生物元基因组、病菌种类的检测、免疫学和免疫疾病工作、甲基化测序、序列多态性检测、临床基因诊断、个性化测序和基因组测序。

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本标准规定了食品包装材料中全氟辛烷磺酰基化合物（PFOS）的高效液相色谱串联质谱测定方法。本标准适用于食品包装材料中全氟辛烷磺酰基化合物（PFOS）的测定。
本标准的方法检出限以全氟辛烷磺酸计,含量为0.4 μg/m2。

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本标准表述了如何描述一台俄歇电子能谱仪的特定性能。

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本标准规定了如何描述X射线光电子能谱仪的特定性能。

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本标准规定了俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的峰强度测量的分析结果报告中所要求的必要信息。提供了峰强度测量方法和所得峰面积的不确定度信息。

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本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪（EDS）特性最重要的性能参数。本标准仅适用于基于固态电离原理的半导体探测器能谱仪。本标准规定了与扫描电镜（SEM）或电子探针（EPMA）联用的EDS性能参数的最低要求以及核查方法。至于实际分析过程，在ISO 22309［2］和 ASTM E1508［3］中已有规范，不在本标准范围之内。

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本标准规定了俄歇电子谱仪动能标不确定度为3 eV时的校准方法，用于识别表面常规元素。另外，还规定一种用于确定校准周期的方法。本标准适用于直接模式或微分模式的仪器分辨率小于等于0.5%，微分模式调制幅度的峰峰值为2 eV。本标准适用于配有惰性气体离子枪或其他样品清洁方法，具有4 keV或更高束能电子枪的谱仪。

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