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GB/T 18735-2014 微束分析 分析电镜(AEM/EDS)纳米薄标样通用规范 现行 发布日期 :  2014-07-24 实施日期 :  2015-03-01

本标准规定了分析电镜(AEM/EDS)即透射电子显微镜或装有扫描附件的透射电镜配备X射线能谱仪(EDS),测量比例因子KA-B所用纳米薄标样的技术要求、检测条件和检测方法。
本标准适用于采用分析电镜(AEM/EDS)进行无机薄样品的微区元素定量分析。本标准不包括有机物和生物标样。

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GB/T 35924-2018 固体化工产品中水分含量的测定 热重法 现行 发布日期 :  2018-02-06 实施日期 :  2018-09-01

本标准规定了固体化工产品中水分含量的热重分析方法。本标准适用于水分含量范围为0.050%~28.00%的固体化工产品中水分含量的测定。本标准不适用于室温风化、潮解及易挥发的化工产品及分解温度低于105 ℃的化工产品测定。对于部分样品,水分含量中可能包含105 ℃以下挥发物的量。

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GB/T 35930-2018 化工产品饱和蒸气压的测定 热重法 现行 发布日期 :  2018-02-06 实施日期 :  2018-09-01

本标准规定了用热重法测定化工产品饱和蒸气压的方法。本标准适用于饱和蒸气压值在1-10 Pa~1 Pa范围内的所有固体和液体。测量时化工产品中的杂质对蒸气压结果有一定的影响。

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本标准规定了在不同实验气氛下利用热重法分析碳纳米管试样中的无定形碳、灰分和挥发物的含量以及碳纳米管的主要氧化温度、热稳定性的方法,实验气氛包括二氧化碳气氛、氧与合成空气的混合气气氛和氮气气氛。
本标准适用于化学气相沉积法获得的单壁及多壁碳纳米管试样。其他制备方法获得的碳纳米管试样可参照执行。

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GB/T 36401-2018 表面化学分析 X射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-05-01

本标准给出了采用XPS对基材上薄膜的分析报告所需的最少信息量要求的说明。这些分析涉及化学组成和均匀薄膜厚度的测量,以及采用变角XPS、XPS溅射深度剖析、峰形分析和可变光子能量XPS的方式对非均匀薄膜作为深度函数的化学组成的测量。

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GB/T 36533-2018 硅酸盐中微颗粒铁的化学态测定 俄歇电子能谱法 现行 发布日期 :  2018-07-13 实施日期 :  2019-06-01

本标准规定了硅酸盐中微颗粒铁的识别及其含量测量的俄歇电子能谱方法。本标准适用于30 nm 以上微颗粒铁的测量。

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GB/T 37664的本部分规定了进行发光纳米材料量子效率可重复测量时遵循的步骤和注意事项。
本部分适用的发光纳米材料包括量子点、纳米荧光粉、纳米粒子、纳米纤维、纳米晶、纳米片和包含这些材料的结构体。发光纳米材料既可以分散在液相(例如,胶体量子点)也可以分散在固相(例如,含发光纳米粒子的纳米纤维)。本部分既规定了液态发光纳米材料量子效率的相对测量方法,也规定了固态和液态纳米材料量子效率的绝对测量方法。

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GB/T 6488-2022 液体化工产品 折光率的测定 现行 发布日期 :  2022-10-12 实施日期 :  2023-05-01

本文件描述了用阿贝折射仪和全自动折光率仪测定液体化工产品折光率的方法。本文件适用于透明或半透明、温度范围在20 ℃~60 ℃、折光率范围在1.300 0~1.700 0的液体化工产品的测定。

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GB/T 6678-2003 化工产品采样总则 现行 发布日期 :  2003-10-11 实施日期 :  2004-05-01

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GB/T 6679-2003 固体化工产品采样通则 现行 发布日期 :  2003-10-11 实施日期 :  2004-05-01

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GB/T 6681-2003 气体化工产品采样通则 现行 发布日期 :  2003-10-11 实施日期 :  2004-05-01

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GB/T 7686-2016 化工产品中砷含量测定的通用方法 现行 发布日期 :  2016-12-13 实施日期 :  2017-07-01

本标准规定了测定化工产品中砷的通用方法。
本标准中的二乙基二硫代氨基甲酸银光度法适用于砷含量在1 μg~20 μg范围内的溶液测定,原子荧光光度法适用于砷含量在0.005 μg~2.5 μg范围内的溶液测定。

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GB/T 8322-2008 分子吸收光谱法 术语 现行 发布日期 :  2008-06-18 实施日期 :  2009-02-01

本标准规定了分子吸收光谱法的术语。 本标准适用于分子吸收光谱法。

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GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法,以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品,溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。
本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm,其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。

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