本标准规定了分析者使用X射线光电子能谱（XPS)分析试样后应报告信息的最低要求。包括原始记录和分析记录的信息。

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本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。
本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm，其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。

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本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱（SIMS）仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器，但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导，这些参数能使用此程序进行优化，还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。

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本文件规定了化学品固液鉴别流动性测定法的试验概述、试验设备、样品处理、试验步骤和结果判定。本文件适用于不能确定熔点的黏性或糊状化学品的固体与液体形态鉴别。

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本文件界定了在AEM实践中所用的术语。包含一般概念和特定概念的术语，按照系统顺序中各自的层次分类。
本文件适用于所有和 AEM 实践相关的标准化文件。此外，本文件的某些部分适用于相关领域（如 TEM, STEM, SEM, EPMA, EDX)通用术语的定义。

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本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导，包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。

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本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。
本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。
本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。
注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。

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本文件描述了常规分析中确认静态二次离子质谱正离子相对强度标的重复性和一致性的方法。本文件适用于安装有荷电中和电子枪的仪器，不用于校正强度随质量变化的响应函数，校正可由仪器制造厂商或其他机构进行。本文件提供数据以确认仪器使用时的相对强度一致性，提供可影响一致性的一些仪器参数的设置指南。

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〓〓本文件描述了测定纳米多孔材料储氢量的静态容量气体吸附的方法。本文件适用于以物理吸附储氢的碳材料、沸石、金属有机框架材料、多孔有机聚合物等纳米多孔材料储氢量的测定。其他多孔材料储氢量的测定也可参照使用。

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本标准规定了有关工业用化学产品采样的最常用的术语。

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本文件适用于电子探针显微分析（EPMA）中使用的单相标准样品（有证参考物质，CRMs），并给出了标准样品应用于平整抛光表面显微分析的使用指南。本文件不适用于有机和生物标准样品。

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本标准规定了气相色谱法的一般术语、仪器、固定相和流动相、色谱参数、色谱图及其他、符号。 本标准适用于气相色谱法。

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本指导性技术文件给出了确定X射线光电子能谱中本底的指南。本指导性技术文件适用于固体表面X射线激发的光电子和俄歇电子能谱的本底确定。

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