本标准规定了单成分物质、多成分物质和UVCB物质的命名通则。
本标准适用于REACH法规框架下的单成分物质、多成分物质和UVCB物质的命名。

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本标准规定了化工产品使用说明书（以下简称使用说明书）的基本内容与编写方法。
本标准适用于除军事、化工机械与设备类的化工产品外的使用说明书的编写。

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本标准规定了X射线光电子能谱仪的检定方法。本标准适用于使用非单色化Al或Mg X射线或单色化Al X射线，且带有溅射清洁用离子枪的X射线光电子能谱仪的检定。

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本标准以最少量的资料描述了用X射线光电子能谱测量绝缘样品内能级结合能，及将在报告其分析结果时所采用的荷电控制和荷电校正方法，也给出了在结合能测量过程中对于荷电控制和荷电校正有用的方法资料。

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本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。
本标准适用于基体化学成分单一的样品，其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。

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本文件规定了俄歇电子能谱仪特定性能参数的表述要求。
本文件适用于俄歇电子能谱仪的性能参数表述。

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本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

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本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形：
——原子序数从16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素；
——采用VPD（气相分解）样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素（见3.4）。

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本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

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本文件规定了如何报告X射线光电子能谱的峰拟合及其结果。本文件适用于单个谱图或一组相关谱图的拟合，例如在深度剖析测试中采集获得的一组相关谱图。本文件提供了一个应报告的参数列表，以实现可重复的峰拟合或对多个谱进行拟合与比较。本文件不提供峰拟合的操作说明，也不提供应采用的拟合步骤。

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本文件规定了使用安装在电子探针（EPMA）或扫描电镜（SEM）上的能谱仪（EDS）或波谱仪（WDS）分析粉末中的颗粒时的试样制备方法。根据分析目的和颗粒尺寸，对粉末颗粒试样的制备方法进行了分类。
本文件适用于粒径范围在100 nm~100 μm的无机物颗粒。
本文件不适用于一些特殊应用，如法医分析或痕量分析。

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本标准规定了电子探针仪（EPMA）和扫描电子显微镜（SEM）的X射线波谱仪（WDS）和能谱仪（EDS）对硅酸盐玻璃的定量分析方法。〖HJ*3/5〗
本标准适用于硅酸盐玻璃试样（包括碱金属的硅酸盐玻璃）的波谱法(WDX)和能谱法(EDX)的定量分析。

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本标准规定了用原子吸收光谱仪进行定量分析的通用规则。 本标准适用于利用原子吸收光谱仪对从常量到痕量化学元素的定量分析。

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本标准规定了使用高效液相色谱法进行的定性定量分析和提纯精制的通用规则。 本标准适用于使用高效液相色谱法对无机、有机化合物的定性定量分析及提纯精制，以及对高分子化合物的分子量的测定的一般要求。

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本标准规定了化工产品密度和相对密度测定的术语和定义，固体、液体和气体化工产品的密度和相对密度测定的方法。
本标准适用于一般化工产品密度和相对密度的测定。
本标准不适用于炭黑、开孔式泡沫橡胶或塑料等特殊状态的化工产品密度、相对密度的测定。

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