本文件提供了使用适当的单层和多层参考物质优化溅射深度分析参数的指导和要求，以便优化俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱中的仪器设置，实现最佳深度分辨。
本文件不涵盖特殊多层膜系（例如δ掺杂层）的使用。

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本文件提供了在表面化学分析前生物材料样品的处理、安装和表面处理方法的指导。其目的是帮助分析人员了解在进行分析时，使用如下技术对特殊样品处理所需的条件：
——X射线光电子能谱(XPS)或化学分析电子能谱 (ESCA)；
——二次离子质谱 (SIMS)；
——俄歇电子能谱(AES)。
所提出的方法也适用于其他对表面组成分析灵敏的技术，如：
——衰减全反射傅里叶变换红外光谱 (ATR-FTIR)；
——全反射X射线荧光光谱(TXRF)；
——紫外光电子能谱 (UPS)。
本文件阐述了所用真空条件的影响和检测前后及植入前后的污染问题，以及在检测过程中与污染相关的问题。这里的生物材料包括硬质和软质，如金属、陶瓷、支架和聚合物。
本文件不包括诸如细胞、组织和生物体等活体生物材料。本文件中不涵盖的其他相关主题还包括电子显微镜或光学显微镜的样品制备。

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本文件描述了在常规分析条件下从特定样品获得的X射线光电子能谱(XPS)数据中评估元素检测限并给出报告的程序。本文件适用于均匀材料，对XPS信息深度内元素深度分布不均匀的材料不适用。

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本文件规定了X射线光电子能谱（XPS）的一般表面分析方法的通用要求。
本文件界定了XPS相关的表面化学分析术语。
本文件适用于X射线光电子能谱仪。

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本文件详细说明了用标定的均匀掺杂物质（用注入硼的参考物质校准）确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3。

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本文件描述了利用辉光放电发射光谱测定金属氧化物膜厚度、单位面积质量和金属氧化物膜化学组成的方法。
本方法适用于测定金属上厚度为5 nm~10 000 nm的氧化物膜，氧化物的金属元素包括铁、铬、镍、铜、钛、硅、钼、锌、镁、锰、锆和铝中的一种或多种。其他可测元素还包括氧、碳、氮、氢、磷和硫。

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本文件描述了在单离子计数飞行时间二次离子质谱仪中，通过测量基于聚四氟乙烯（PTFE）质谱中的同位素比值，从而确定强度标线性偏差可接受限的最大计数率的方法。本文件还包括校正强度非线性的方法，强度的非线性是由在死时间内到达微通道板（MCP）或闪烁体和光电倍增器随后进入时间数字转换器（TDC）的二次离子强度损失引起的。该校正可将95％线性的强度范围增加到50倍以上，因此对于那些已证实相关校正公式有效的质谱仪，可以采用更高的最大计数率。

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本文件规定了用于表征AFM探针形状，特别是柄和近尖端轮廓的两种方法。这两种方法分别通过将AFM探针尖轮廓投影到指定平面上，或者在确定的操作条件下将探针柄的特征投影到该平面上来实现。其中，后一种方法可以给出探针用于狭窄沟槽和类似轮廓结构的深度测量时的有效性。本文件适用于半径大于5u0的探针，其中u0是用于表征探针的参考样品脊形结构宽度的不确定度。

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本文件规定了X射线光电子能谱(XPS)分析中，由X射线辐照导致试样元素组成或化学态的非预期性损伤的识别、评估和校正方法的要求。
本文件仅适用于X射线引起的非预期性损伤，导致光电子谱峰强度的降低或增加小于30%。本文件不涉及不同类型材料之间的比较，也不涉及发生损伤的机制、深度或化学性质。

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本文件描述了对材料薄膜进行协助表面分析的方法，这些薄膜不含有碳化合物作为预期成分，但在全扫描谱中观察到C 1s峰。这些薄膜可通过有氧或电化学氧化在金属和合金上生成，也可沉积在惰性基底上的。所述程序不适用于在基底上颗粒的不连续沉积。除此之外，还提供了一个可从含碳的表面污染物中识别C 1s信号的简单程序。当C 1s峰被确定为来自于外来的覆盖层时，从全谱中得出的成分可针对其影响进行校正。建议的程序以“如果-则”格式的简单规则结构形式所提供，目的是让它们所包含的信息可被数据系统中的自动化程序所利用。所提供的规则仅利用从XPS全扫描（谱）中检索的信息。

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本文件规定了基于模型数据库(MBL)方法通过测长扫描电子显微镜(CD-SEM)成像来测定晶圆和光掩膜的关键尺寸(CD)值所需的结构模型、相关参数、文件格式和拟合程序。
本文件适用于试样的线宽测定，如晶圆上的栅极、光掩膜、单个孤立或密集排列的线特征图案，最小达10 nm。

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本标准规定了化学品安全技术说明书(SDS)的结构、内容和通用形式。 本标准适用于化学品安全技术说明书的编制。 本标准既不规定SDS的固定格式，也不提供SDS的实际样例。

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本标准规定了SDS中16个部分内容的编写细则、SDS的格式、SDS的书写要求和计量单位要求。
本标准适用于SDS的编制。

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本标准规定了分析电镜(AEM/EDS)即透射电子显微镜或装有扫描附件的透射电镜配备X射线能谱仪(EDS),测量比例因子KA-B所用纳米薄标样的技术要求、检测条件和检测方法。
本标准适用于采用分析电镜(AEM/EDS)进行无机薄样品的微区元素定量分析。本标准不包括有机物和生物标样。

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本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

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