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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 现行 发布日期 :  2017-11-01 实施日期 :  2018-04-01

本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2 μm,缺陷密度的测试范围0~10 000 cm-2。

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GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2~105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。

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GB/T 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

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GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 被代替 发布日期 :  1993-02-06 实施日期 :  1993-10-01

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