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本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2 μm,缺陷密度的测试范围0~10 000 cm-2。
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本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。 本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2~105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。 本方法也适用于硅单晶片。
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