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【国家标准】 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

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标准简介标准简介

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适用范围：

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为〈111〉、〈100〉或〈110〉、电阻率为10-3 Ω·cm～104 Ω·cm、位错密度在0 cm-2～105 cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。
本方法也适用于硅单晶片。

读者对象：

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验相关人员。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 1554-2009

  • 标准名称：

    硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

  • 英文名称：

    Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    24 页

  • 字数：

    37 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    何兰英、王炎、张辉坚、刘阳

  • 起草单位：

    峨嵋半导体材料厂

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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