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GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了电容电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容电压法和无接触电容电压法。
本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3~8×1016 cm-3,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,其中无接触电容电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试。

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本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。

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GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法 现行 发布日期 :  2006-07-18 实施日期 :  2006-11-01

本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法,适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围:1×1014 cm-3~5×1017 cm-3。

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GB/T 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压 被代替 发布日期 :  1993-02-06 实施日期 :  1993-10-01

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GB/T 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 被代替 发布日期 :  1989-03-31 实施日期 :  1990-02-01

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