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本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围:0.002×10-9~100×10-9。
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本标准适用于位错密度0 cm-2~100 000 cm-2 的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为(111)、(100)和(113)面。
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本标准适用于位错密度为(0~100 000)个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。
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