- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H17 >>
- GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
【国家标准】 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
本网站 发布时间:
2024-03-01
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准简介
文前页下载
适用范围:
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
标准号:
GB/T 35306-2017
标准名称:
硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称:
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry标准状态:
被代替-
发布日期:
2017-12-29 -
实施日期:
2018-07-01 出版语种:
中文简体
起草人:
张云晖 韩小月 毛智慧 赵建为 刘晓霞 王桃霞 田洪先 刘明军 银波 刘国霞 蔡延国 秦榕 童孟 钱津旺 杨红燕起草单位:
昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
- 其它标准
- 推荐标准
- 国家标准计划
- GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
- GB/T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 37211.3-2022 金属锗化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 42276-2022 氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法
- GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素(镁、镓)含量及分布的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法
- GB/T 14849.1-2020 工业硅化学分析方法 第1部分:铁含量的测定
- GB/T 14849.3-2020 工业硅化学分析方法 第3部分:钙含量的测定
- GB/T 37385-2019 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法