【国家标准】硅单晶中碳、氧含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法

本网站发布时间： 2024-03-01

GB/T 35306-2017
被代替
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标准简介

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适用范围：

本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。

基本信息

标准号：
GB/T 35306-2017
标准名称：
硅单晶中碳、氧含量的测定　低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称：
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
标准状态：
被代替
发布日期：
2017-12-29
实施日期：
2018-07-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
77.040
中标分类号：
H17

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
16 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕
起草单位：
昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

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