本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

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本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。

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本标准规定了采用X射线定向仪测定蓝宝石单晶晶向的方法。本标准适用于测定表面取向大致平行于低指数晶面的蓝宝石单晶材料。

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本标准规定了建筑用铝合金隔热型材传热系数测定的术语和定义、方法原理、试验设备与装置、试样、测定和试验报告。本标准适用于建筑用铝合金隔热型材传热系数的测定。

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本标准规定了蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量方法。本标准适用于蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量。

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本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。
本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。
本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m～2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。

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本标准规定了在闭合磁路中使用环样或磁导计测量软磁材料的直流磁性能的方法。环样法适用于片材叠装的环样，或整体实心的环样以及烧结环样。

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本文件规定了采用差热分析仪或差示扫描量热计测定贵金属及其合金熔化温度范围的方法。
本文件适用于贵金属及其合金熔化温度范围的试验，试验范围为25 ℃～2 000 ℃。

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本文件规定了贵金属电触点材料(静态)接触电阻的测量方法。
本文件适用于贵金属电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料也可参照使用。

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本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试。

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本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

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本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。

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本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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