This document describes the infrared reflectance method of thickness of silicon carbide epitaxial layers.
This document is applicable to the thickness test of silicon carbide homoepitaxial layers with  dopant concentration of less than 1×10 16 cm -3, which grown on the n-type silicon carbide substrate with dopant concentration of more than 1×10 18 cm-3.The test range is 3 μm-200μm.

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本文件描述了用非接触式涡流感应法测试太阳能电池用单晶硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的方法。本文件适用于非平衡载流子复合寿命在0.1 μs～10 000 μs、电阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅锭、硅块和硅片的测试。其中瞬态光电导衰减法适用于非平衡载流子复合寿命小于100 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，准稳态光电导法适用于非平衡载流子复合寿命大于200 μs时硅锭、硅块和硅片的测试，非平衡载流子复合寿命在100 μs～200 μs时，两种测试方法均适用。

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本文件规定了锂离子电池正极材料高温电化学性能测试方法，包括高温存储测试和高温循环测试。本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、富锂锰基等正极材料高温电化学性能测试。

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本文件描述了锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。
本文件适用于锂离子电池正极材料镍锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率的测试，测试方法包括扣式半电池法和扣式全电池法。

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本文件规定了测量压制金属粉末层的空气透过性和孔隙率，并得到外比表面积值的方法。在稳态流动条件下，采用层流空气在接近大气压的压力下确定粉末层的透过性。本文件不包括通过恒定体积法测量透过性的方法。本文件未指定特定的商业设备和相应的测试程序。但是，为方便用户起见，本文件列出了资料性附录（见附录A），旨在提供有关三种特定方法的一些实用信息。如果粉末有团聚现象，测量的外比表面积结果将受样品团聚程度的影响。如果相关方许可，可对团聚粉末进行分散处理（见附录B）。本文件适用于所有金属粉末，包括粒径不大于1 000 μm的硬质合金粉末，但通常用于粒径为0.2 μm～75 μm的颗粒。如相关方许可，本方法也可用于轴对称性差（例如薄片状和纤维状）的颗粒。本文件不适用于不同粉末的混合物和含有粘接剂或润滑剂的粉末。

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本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

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本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。

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本标准规定了锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本标准适用于锂离子电池正极材料镍钴锰酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。

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本标准规定了采用激光法非接触式测量方形硅晶锭尺寸的方法，包括对角线、倒角、垂直度、边长和长度。本标准适用于半导体及光伏领域硅单晶棒或多晶硅铸锭切割成的方形硅晶锭尺寸的测量。

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本标准规定了难熔金属及其化合物粉末在粒度测定之前的分散处理规则。
本标准适用于钨、钼、铼、钽及碳化钨等难熔金属及化合物粉末的分散处理，其他的金属粉末（或碳化物、氮化物）也可参照本标准进行分散处理。

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本标准规定了镁及镁合金铸锭的外观检查、化学成分、纯净度检验和试验报告等内容。
本标准适用于镁及镁合金铸锭的纯净度检验。

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本标准规定了金属材料高温蒸汽氧化试验方法的术语和定义、试验原理、试验装置及条件、试样、试验步骤、结果分析和试验报告。本标准适用于金属材料在高温蒸汽条件下的氧化试验。

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本标准规定了锆管探伤用对比试样人工缺陷（人工槽/通孔）尺寸的复型及显微测量方法。本标准适用于锆管超声、涡流等无损探检测对比试样上人工槽/通孔尺寸的测量。其他金属对比试样中的类似人工缺陷尺寸的测量也可参照执行。

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本文件规定了锂离子电池正极材料锰酸锂的放电平台容量比率及循环寿命测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料锰酸锂放电平台容量比率及循环寿命的测试。

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