- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- H21 >>
- GB/T 351-2019 金属材料 电阻率测量方法
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>
标准简介
文前页下载
适用范围:
本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。
本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。
本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m~2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。
本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。
本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m~2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。
标准号:
GB/T 351-2019
标准名称:
金属材料 电阻率测量方法
英文名称:
Metallic materials—Resistivity measurement method标准状态:
现行-
发布日期:
2019-03-25 -
实施日期:
2020-02-01 出版语种:
中文简体
- 其它标准
- 推荐标准
- 国家标准计划
- GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
- GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
- GB/T 23365-2023 钴酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
- GB/T 43092-2023 锂离子电池正极材料电化学性能测试 高温性能测试方法
- GB/T 43096-2023 金属粉末 稳态流动条件下粉末层透过性试验测定外比表面积
- GB/T 43093-2023 镍锰酸锂电化学性能测试 首次放电比容量及首次充放电效率测试方法
- GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法
- GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
- GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
- GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
- GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
- GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
- GB/T 42544-2023 铝及铝合金阳极氧化膜及有机聚合物膜的腐蚀评定 栅格法