本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

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本文件描述了电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性测试方法。
本文件定义了在规定温度(最高850 ℃)、规定持续时间(最高2 500 h)下进行热处理后，对电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性进行评估试验的通用原则和技术细节，包括原理、试样、试验步骤、测量结果及试验报告。
在热处理前后的环境温度(23±5)℃下测量规定性能，本文件适用于绝缘涂层的下列性能：
——附着性；
——表面绝缘电阻/层间绝缘电阻；
——叠装系数。
本文件不适用于绝缘涂层的其他性能，如焊接性能，或暴露于高温下可能引起的变色等其他性能。因是长周期测试，本文件不适用于特定订单材料的验收测试。

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本标准规定了大晶粒块状氧化物超导体(简称块状超导体)在液氮温度(77 K)附近磁浮力的测试方法。 本标准适用于测量由熔融织构生长法制备的圆柱状REBaCuO超导体的轴向磁浮力，超导体的直径小于或等于50 mm。直径大于50 mm的圆柱形超导块与其他具有规则形状(正方体、长方体、正六棱柱等)超导块的轴向磁浮力以及非轴向磁浮力的测量也可参照本标准执行。

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This standard specifies a method of measuring the magnetic levitation force of large-grain bulk oxide superconductor (bulk superconductor) at liquid nitrogen temperature (77 K).
This standard is applicable to measurement of the axial magnetic levitation force of cylindrical RE-Ba-Cu-O superconductors prepared by melt-textured growth process, with a diameter being equal to or less than 50 mm.The measurements of axial and non-axial magnetic levitation force of cylindrical bulk superconductors with a diameter of over 50 mm and bulk superconductors with other regular shapes (cube, cuboid, regular hexagonal prism, etc.) may also be carried out with reference to this standard.

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本文件描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法测量Cu/Nb-Ti多丝复合材料磁滞损耗的相关事宜。本文件规定了Cu/Nb-Ti多丝复合导体中磁滞损耗的一种测量方法。测量在温度为4.2 K或接近于4.2 K的圆形截面超导线上进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件（SQUID）磁强计（见附录A）或振动样品磁强计（VSM）。如果测量中发现用不同的（但均校准过的）磁强计所得的结果存在差异，则以外推至零扫场速率下的VSM测量结果为准。将本测量方法推广到一般超导体的规范详见附录B。

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本标准规定了在闭合磁路中使用环样或磁导计测量软磁材料的直流磁性能的方法。环样法适用于片材叠装的环样，或整体实心的环样以及烧结环样。

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本文件规定了采用差热分析仪或差示扫描量热计测定贵金属及其合金熔化温度范围的方法。
本文件适用于贵金属及其合金熔化温度范围的试验，试验范围为25 ℃～2 000 ℃。

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本文件规定了贵金属电触点材料(静态)接触电阻的测量方法。
本文件适用于贵金属电触点材料接触电阻的测量。其他金属及合金电触点材料也可参照使用。

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本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果；对于导电类型不均匀的材料，可在其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料（如外延片）导电类型的测试。

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本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试，其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～8×103 Ω·cm，n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm～1.5×104 Ω·cm；直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率，测试范围为1×10-3 Ω·cm～1×104 Ω·cm，样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

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本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品，测试硅单晶的最短寿命值为50 μs，测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品，测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注： 直流光电导衰减方法有两种：直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法（见附录A）。

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本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向；光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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本文件规定了振实密度的测定方法，即粉末在规定条件下在容器中被振实后的密度。

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