本文件规定了锂离子电池正极材料锰酸锂的首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料锰酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。

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本文件描述了Nb-Ti与Nb3Sn复合超导体扭距测量的原理、化学药品、仪器设备、样品制备、测量步骤、试验数据处理、测量不确定度和测试报告。
本文件适用于直径在0.2 mm~2 mm(或与之截面积等同的矩形)，超导丝直径在6 μm~200 μm，扭距在5 mm~50 mm，基体为铜的一体化结构NbTi与Nb3Sn多丝复合超导体扭距的测量。
本文件不适用于表面有镀层或表面覆盖不可被硝酸溶蚀镀层的超导体。
注1： 使用本方法测量横截面形状、面积、超导丝直径和扭距超出本范围的复合超导体，不确定度将增大。
注2： 经过适当修正，本文件给出的测量方法适用于其他类似结构的复合超导体。

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本文件规定了两种流速测定方法，用于测定一定数量的加热后的粉末混合料通过一个固定孔径的漏斗的时间（流速），这种粉末主要是适用于温压的钢铁粉末。
方法A使用孔径为2.5 mm的漏斗，样品量为50 g，主要依据ISO 4490中规定的方法。该方法只适用于在加热的条件下能自由流过2.5 mm孔径的粉末混合料。
方法B使用孔径为5 mm的漏斗，样品量为150 g。
这两种方法的试验温度范围均为60 ℃～180 ℃，相关方协商确定后可选择其中一种。

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本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。
本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。

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本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。
本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。

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本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片)翘曲度的测试方法。
本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片翘曲度的测试。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏（简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。

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 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。

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 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

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本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

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本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。
本文件适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片，包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片，也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。

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