【国家标准】硅片氧沉淀特性的测试　间隙氧含量减少法

本网站发布时间： 2025-07-21

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标准简介

本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

标准号：
GB/T 19444-2025
标准名称：
硅片氧沉淀特性的测试　间隙氧含量减少法
英文名称：
Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-06-30
实施日期：
2026-01-01
出版语种：
中文简体

起草人：
方丽霞、陈卫群、姚献朋、黄笑容、寇文辉、王新社、郭红强、刘丽娟、肖世豪、朱晓彤、张海英、王江华、尚海波、章金兵
起草单位：
麦斯克电子材料股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、浙大宁波理工学院
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC　203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC　203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法