本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。
本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

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本文件描述了各类贵金属键合丝(以下简称“键合丝”)热影响区长度的扫描电镜测定方法。
本文件方法一适用于键合金丝热影响区长度的测定。
本文件方法二适用于直径不超过50 μm的纯金属、合金或复合类键合丝的热影响区长度测定。

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本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。

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本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。
本文件适用于在-65 ℃⁓250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。

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本文件描述了采用四探针法与两探针法测定锂离子电池正极材料粉末电阻率的方法。
本文件适用于锂离子电池正极材料粉末电阻率的测定。

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本标准规定了ⅢⅤ族氮化物LED外延片内量子效率的测试方法。
本标准适用于基于ⅢⅤ族氮化物的量子阱LED内量子效率的测试。

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本标准规定了制备氮化镓薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片(简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。
本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。

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本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。
本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品，则需相关各方协商同意。

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本标准规定了蓝宝石切割片、研磨片、抛光片（以下简称蓝宝石衬底片)翘曲度的测试方法。
本标准适用于直径50.8 mm～304.8 mm，厚度为不小于200 μm的蓝宝石衬底片翘曲度的测试。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏（简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。

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本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。
本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。

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 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。

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 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

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本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化（TTV)、局部厚度变化（LTV)、弯曲度（Bow)、翘曲度（Warp)的测试方法。本标准适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm，厚度0.13 mm～1 mm碳化硅单晶抛光片平整度的测试。

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