本文件描述了Nb-Ti与Nb3Sn复合超导体扭距测量的原理、化学药品、仪器设备、样品制备、测量步骤、试验数据处理、测量不确定度和测试报告。
本文件适用于直径在0.2 mm~2 mm(或与之截面积等同的矩形),超导丝直径在6 μm~200 μm,扭距在5 mm~50 mm,基体为铜的一体化结构NbTi与Nb3Sn多丝复合超导体扭距的测量。
本文件不适用于表面有镀层或表面覆盖不可被硝酸溶蚀镀层的超导体。
注1: 使用本方法测量横截面形状、面积、超导丝直径和扭距超出本范围的复合超导体,不确定度将增大。
注2: 经过适当修正,本文件给出的测量方法适用于其他类似结构的复合超导体。
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This document describes the infrared reflectance method of thickness of silicon carbide epitaxial layers.
This document is applicable to the thickness test of silicon carbide homoepitaxial layers with dopant concentration of less than 1×10 16 cm -3, which grown on the n-type silicon carbide substrate with dopant concentration of more than 1×10 18 cm-3.The test range is 3 μm-200μm.
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