本文件描述了锂离子电池正极材料低温电化学性能测试方法。
本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、磷酸铁锂、磷酸锰铁锂等正极材料低温电化学性能的测试。

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本文件描述了用四探针法测定金属粉末电导率的方法。本文件适用于铜、银、镍、铝、锌、金等金属及其合金粉末，以及其他导电金属粉末的电阻率和电导率测定。

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本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。
本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。
注:直径200 mm 硅片参考本文件。

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本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。

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本标准规定了在微波频率下利用双谐振器法测试超导体表面电阻的方法，测试目标是在谐振频率下RS随温度的变化。改进型镜像介质谐振器法，作为另外一种可选用的方法，在附录B中给出。本标准适用于表面电阻的测试范围如下：--频率：8 GHz<f<30 GHz；--测试分辨率：0.01 mΩ（f = 10 GHz）。测试报告给出在测试频率下的表面电阻值，并且给出利用RS ∝ f 2的关系折合到10 GHz的值。

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本文件描述了锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料钴酸锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试，其他锂离子电池正极材料首次放电比容量及首次充放电效率的测试可参考本文件。

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本标准规定了热双金属条形元件的术语及定义、订货内容、尺寸、外形、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标记及质量证明书等内容。本标准适用于热继电器、断路器等低压电器的热双金属条形元件(以下简称元件)，也可适用于在其他场合使用的热双金属条形元件。

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本标准规定了热双金属平螺旋形元件机械转矩率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件的机械转矩率。也适用于精确地测定其他材料平螺旋形元件的机械转矩率。可用于确定热双金属平螺旋元件的机械力。本标准可在给定机械力矩情况下，确定材料的最优厚度和长度。本标准可用于热双金属的质量测试以确定接收或拒收。

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本标准规定了热双金属片、带材横向弯曲的测量方法、测量装置、取样、试样制备及计算公式等。本标准适用于热双金属横向弯曲的测量，也适用于其他材料横向弯曲的精确测量。本标准不涉及所有的安全要素内容，在使用本标准前，使用者有责任制定适宜的安全制度。

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本标准规定了热双金属碟形元件（以下简称碟形元件）机械寿命的试验方法和装置。
本标准适用于间接加热、直接加热和混合加热工作条件下的碟形元件机械寿命试验。

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本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱（TXRF）测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定，尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围：109 atoms/cm2～1 015 atoms/cm2。
本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

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本标准规定了电工钢带（片)涂层绝缘电阻和附着性的测试方法。本标准适用于无取向和取向电工钢带（片)表面绝缘电阻和层间电阻的测试，以及无取向和取向电工钢带（片)绝缘涂层附着性的测试。

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This document specifies the method for determining the surface roughness,peak count and waviness for coldrolled metal sheet and strip,including principle,test pieces,measurement requirements,measurement procedures,value rounding of measurement results and test report.

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 本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。

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 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

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