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【国家标准】 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

本网站 发布时间： 2016-11-01
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适用范围：

 本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 32189-2015

  • 标准名称：

    氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

  • 英文名称：

    Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2015-12-10

  • 实施日期：

    2016-11-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    20 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科

  • 起草单位：

    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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