【国家标准】重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试　红外反射法

本网站发布时间： 2025-12-05

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标准简介

本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。
本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。

标准号：
GB/T 14847-2025
标准名称：
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试　红外反射法
英文名称：
Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-10-31
实施日期：
2026-05-01
出版语种：
中文简体

起草人：
李慎重、张海英、李素青、许峰、梁兴勃、蒋玉龙、葛华、李明达、张宏浩、马林宝、马向阳、刘丽娟、贺东江、赵跃、方伟宇、李云鹏、庄育军、韩云霄、雷浩东、袁文战
起草单位：
浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、中电晶华(天津)半导体材料有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、西安龙威半导体有限公司、浙江大学、麦斯克电子材料股份有限公司、布鲁克(北京)科技有限公司、珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司、赛默飞世尔科技(中国)有限公司、上海优睿谱半导体设备有限公司、青海沅平新能源科技有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法