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本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。
本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

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GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片 现行 发布日期 :  2019-06-04 实施日期 :  2020-05-01

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。
本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

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本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。
本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定,测定范围为氧的质量分数0.0010%~0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

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GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 现行 发布日期 :  2022-03-09 实施日期 :  2022-10-01

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称Low-COP抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm~100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

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GB/T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环 现行 发布日期 :  2022-07-11 实施日期 :  2023-02-01

本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p<100>直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm~450 mm的硅电极及硅环。

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GB/T 12963-2022 电子级多晶硅 现行 发布日期 :  2022-12-30 实施日期 :  2023-07-01

本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅(以下简称“多晶硅”)。

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GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径,可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

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GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 被代替 发布日期 :  2003-06-16 实施日期 :  2004-01-01

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GB/T 29054-2012 太阳能级铸造多晶硅块 被代替 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-10-01

本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。

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GB/T 29055-2012 太阳电池用多晶硅片 被代替 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-10-01

本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。

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GB/T 12962-1996 硅单晶 被代替 发布日期 :  1996-11-04 实施日期 :  1997-04-01

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GB/T 12962-2005 硅单晶 被代替 发布日期 :  2005-09-19 实施日期 :  2006-04-01

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GB/T 12963-2009 硅多晶 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、运输、贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。

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GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片 被代替 发布日期 :  1996-11-04 实施日期 :  1997-04-01

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GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片 被代替 发布日期 :  2005-09-19 实施日期 :  2006-04-01

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