【国家标准】集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

本网站发布时间： 2022-10-08

GB/T 41325-2022
现行
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标准简介

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适用范围：

本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

基本信息

标准号：
GB/T 41325-2022
标准名称：
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
标准状态：
现行
发布日期：
2022-03-09
实施日期：
2022-10-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
29.045
中标分类号：
H82

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：

出版信息

页数：
12 页
字数：
20 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
孙燕宁永铎钟耕杭李洋徐新华骆红杨素心李素青张海英由佰玲潘金平
起草单位：
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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