集成电路光掩模28纳米节点制造标准是根据集成电路半导体先进节点芯片端应用要求，对光掩模技术指标及工艺要求采集、管理和使用等方面进行评估的一套准则。如今，随着信息技术的迅速发展，集成电路制造业建设越来越踊跃，光掩模承载芯片设计最基础的数据信息，在信息保护、版权维护方面至关重要。因此建立先进半导体的28纳米节点光掩模制造标准，既可以有效规范先进光掩模材料的制造与管理，也有助于国内集成电路产业链的系统化发展。本标准旨在为国产光掩模制作单位建立一套科学完整合规评价体系提供参考，并希望可以推动国产光掩模制造产业持续优化和完善。本文件规定了集成电路光掩模28纳米节点制造的技术指标、工艺要求、测量方法、检验规则和安全保障条件。本文件适用于集成电路28纳米节点光掩模的制造。

定价： 0元 / 折扣价： 0 元

本文件规定了四氯化钛中Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、As、Sr、Mo、Ag、Cd、Sn、Sb、Ba、Au、Pb、Bi、U等元素的电感耦合等离子体质谱仪测定方法。本文件适用于四氯化钛中Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、As、Sr、Mo、Ag、Cd、Sn、Sb、Ba、Au、Pb、Bi、U等元素含量的测定。各元素的测定范围0.1ng/g～50ng/g。

定价： 0元 / 折扣价： 0 元

本文件规定了集成电路用二碘硅烷的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、及留样、安全警示等内容。本文件适用于集成电路原子层沉积技术制备氮化硅薄膜的二碘硅烷。分子式：H2I2Si相对分子质量：283.91

定价： 0元 / 折扣价： 0 元