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GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

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GB/T 35004-2018 数字集成电路 输入/输出电气接口 模型规范 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)〓在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)〓为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)〓引入建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)〓完善封装和模块的电气模型。

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GB/T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

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GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

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GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 现行 发布日期 :  2000-01-03 实施日期 :  2000-07-01

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GB/T 44924-2024 半导体集成电路 射频发射器/接收器测试方法 现行 发布日期 :  2024-12-31 实施日期 :  2025-04-01

本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器(以下简称器件)的电特性测试方法的基本原理和测试程序。
本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器,其他类型的发射器和接收器可参考使用。

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本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。

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GB/T 42744-2023 微波电路 电调衰减器测试方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器(以下简称衰减器)的相关电参数测试。

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GB/T 42836-2023 微波半导体集成电路 混频器 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

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GB/T 42837-2023 微波半导体集成电路 放大器 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

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GB/T 42839-2023 半导体集成电路 模拟数字(AD)转换器 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了模拟数字(AD)转换器(以下简称AD转换器或ADC)的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。

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本文件描述了集成电路(IC)对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频(RF)辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。

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GB/T 42973-2023 半导体集成电路 数字模拟(DA)转换器 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了数字模拟(DA)转换器(以下简称DA转换器或DAC)的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。

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