本标准规定了下列集成电路（IC）分类体系树（见图1）中有关半定制集成电路子类的标准。 注:这个体系树是不封闭的，可以在需要时拓展。

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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

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本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

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为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)〓在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)〓为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)〓引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)〓完善封装和模块的电气模型。

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本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

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本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

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本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

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本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器（以下简称衰减器)的相关电参数测试。

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本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

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本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

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本文件规定了模拟数字（AD）转换器（以下简称AD转换器或ADC）的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。

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本文件描述了集成电路（IC）对150 kHz~3 GHz频率范围内的射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。

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