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【国家标准】 半导体集成电路　蚀刻型双列封装引线框架规范

本网站 发布时间： 2019-09-19
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适用范围：

本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方法及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银)，单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 15877-2013

  • 标准名称：

    半导体集成电路　蚀刻型双列封装引线框架规范

  • 英文名称：

    Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2013-12-31

  • 实施日期：

    2014-08-15

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.200

  • 中标分类号：

    L56

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    18 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    任忠平、尹国钦

  • 起草单位：

    宁波东盛集成电路元件有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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