本标准规定了采用移相干涉术计算材料本身波前畸变的测量条件及测试步骤。本标准适用于波长为633 nm的光波能透过的激光晶体,也适用于玻璃、陶瓷或其他类似材料。

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本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100 Hz～100 kHz范围介电常数的测试方法。本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸锶钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介电常数，也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有机热释电材料的介电常数。

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本部分规定了热释电材料本征热释电系数的测量方法。
本部分适用于测量钽酸锂、钛酸铅、锆钛酸铅、铌镁酸铅等热释电材料的热释电系数。本部分也适用于热释电系数在1×10-11C/（cm2·℃）数量级以上其他陶瓷、单晶和有机热释电材料等的测量。本部分不适用于钛酸锶钡、钽钪酸铅等场致热释电材料的热释电系数测量。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水的电阻率的测试方法。
本部分适用于电子级水电阻率测试。

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GB/T 11446的本部分规定了无火焰（或火焰）原子吸收分光光度计测定电子级水中痕量金属铜、锌、镍、铁、铅、钠和钾的测试方法。也可使用灵敏度相当的其他仪器如电感耦合等离子体/质谱仪（或电感耦合等离子体发射光谱仪）测量。
无火焰原子吸收分光光度适用于EW-Ⅰ～EW-Ⅲ级电子级水中痕量金属的测定。方法的检出限（质量分数）应在1×10-9以下。
火焰原子吸收分光光度法适用于EW-Ⅳ电子级水中痕量金属的测定。

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GB/T 11446的本部分规定了电子级水中微粒的仪器测定方法。
本部分适用于电子级水中微粒的连续式或单次检测计数，测定的微粒粒径不小于0.05 μm，微粒的浓度范围为0~10 000个/mL。

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本文件描述了单体液晶纯度、最大杂质、易挥发分、电阻率、水分含量和金属离子浓度的测试方法。本文件适用于单体液晶的生产研发、检验检测和应用验证等。

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本文件规定了一氧化碳的技术要求、采样、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存的要求。本文件适用于工业级一氧化碳经纯化制备的电子用一氧化碳。

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本文件规定了二氧化碳的技术要求、采样、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及安全信息的要求。本文件适用于由高纯二氧化碳经纯化制备的电子用二氧化碳。

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本文件规定了羰基硫的技术要求、采样、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及安全信息的要求。本文件适用于一氧化碳与硫为原料合成制备的电子用羰基硫。

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本文件描述了用硫氰酸盐标准溶液滴定法测定太阳能电池用银浆中银含量的方法。本文件适用于太阳能电池用银浆，包括符合YS/T 612的正面银浆和背面银浆，测定范围为银含量(质量分数)30%~95%。其他导电银浆(例如微电子技术用贵金属浆料)和制作银浆的原料银粉等材料参照使用。注： 参照使用本文件方法测定银粉的银含量(质量分数)时，测定范围上限为99%。

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本文件描述了平板显示用彩色光刻胶可靠性中耐化学性能、耐溶剂冲击性能和显影液中溶解性能三项指标的测试方法。〓〓注： 平板显示用彩色光刻胶的可靠性指标主要包括耐化学性能、耐溶剂冲击性能和显影液中溶解性能。本文件适用于平板显示用彩色光刻胶的制造、质量控制以及研发工作。

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本文件描述了一种表征有机晶体管的方法，包括测量技术、数据报告方法和表征过程的测试条件。
本文件适用于有机晶体管的电学特性测量。

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本文件描述了打印显示薄膜均匀性的测试方法，主要包括子像素均匀性、相邻子像素均匀性、短程均匀性测试方法。
本文件适用于使用探针式表面轮廓仪（以下称台阶仪)和白光干涉仪对厚度范围为5 nm~105 nm的打印显示薄膜均匀性的测试。

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本文件规定了紫外级氟化钙晶体的技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件，描述了相应的试验方法。本文件适用于紫外级氟化钙晶体的生产与检验。

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