本标准规定了压电陶瓷材料性能的测试条件、测试方法和振动模式下的测试方法。 本标准适用于压电陶瓷材料居里温度、纵向压电应变常数(静态)、强场介电性能、热释电系数的参数测试，压电陶瓷材料柱体纵向长度伸缩、圆片厚度伸缩和长方片厚度切变振动模式下的参数测试。

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本标准规定了光伏用树脂金刚石切割线（以下简称树脂金刚线)的术语和定义、产品规格及标记、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输及贮存。本标准适用于经树脂粘合剂将金刚石磨粒固着于芯线基体表面而制成的金刚石切割线，产品主要用于硅材料切割，其他硬脆材料切割用树脂金刚石切割线可参考使用。

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本标准规定了电磁屏蔽薄膜的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则及其标志、包装、运输和贮存。本标准适用于以聚合物薄膜为主要基材，经过一定的处理，具有导电性、电磁屏蔽效能的非光学特性电磁屏蔽薄膜。

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本标准规定了纳米钛酸钡的产品代号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、标签，以及包装、运输与贮存。
本标准适用于纳米钛酸钡粉体材料。该产品主要应用于多层陶瓷电容器(MLCC)介质、电子导电浆料添加剂、高介电常数有机复合材料的填料等。

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本标准规定了TFT单体液晶材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于TFT混合液晶材料所需的单体液晶材料。

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本标准规定了TFT混合液晶材料的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于显示用TFT混合液晶材料。

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本标准规定了电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的XRD测试方法。
本标准适用于电子封装用球形二氧化硅微粉中检测α态晶体二氧化硅含量，其他无定形二氧化硅含量的检测也可参照本标准执行。α态晶体二氧化硅含量测试范围0.5%以下半定量分析，0.5%~5%定量分析。

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本标准规定了平板显示器偏光膜表面耐划伤性的测试方法。
本标准适用于平板显示器偏光膜表面耐划伤性的测试。

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本标准规定了薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)用四甲基氢氧化铵显影液的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)用四甲基氢氧化铵显影液。

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本标准规定了电子封装用球形二氧化硅微粉颗粒球形度、平均球形度及球形度分布的颗粒动态光电投影测试方法。
本标准适用于4 μm~300 μm的电子封装用球形二氧化硅微粉球形颗粒。

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本标准规定了电子元器件用酚醛包封料（以下简称包封料）的分类、技术要求、检验规则、检验方法、包装、标志、贮存及运输等要求。
本标准适用于陶瓷电容器、压电陶瓷元件、热敏电阻器、厚膜电路等电子元器件湿法包封用酚醛包封料。

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本标准规定了用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）测定硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等痕量元素含量的方法。
本标准适用于硅外延用三氯氢硅（SiHCl3）中硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷、锑等含量的测定。各元素测定范围见表1。

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本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸，以及推荐的布局和设计规则，这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。
本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相掩模版相位测量，适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺。

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本标准规定了印制板用铜箔外观、尺寸、物理性能、工艺性能及其他性能的试验方法。
本标准适用于刚性及挠性印制板用铜箔。

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