【国家标准】半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第2部分：缺陷的光学检测方法

本网站发布时间： 2024-01-19

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标准简介

本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

标准号：
GB/T 43493.2-2023
标准名称：
半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第2部分：缺陷的光学检测方法
英文名称：
Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
标准状态：
即将实施
发布日期：
2023-12-28
实施日期：
2024-07-01
出版语种：
中文简体

起草人：
芦伟立房玉龙李佳张冉冉李丽霞杨青殷源刘立娜张建峰李振廷徐晨宋生张永强钮应喜金向军毛开礼丁雄杰刘薇周少丰庄建军乐卫平周翔夏俊杰陆敏郑隆结薛联金
起草单位：
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法