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本文件规定了利用透射电子显微镜(TEM)测量金属薄晶体中位错密度的设备、试样、测定方法、数据处理、测定结果的不确定度和试验报告。本文件适用于测定晶粒内不高于1×1015m-2的位错密度。也适用于测量几十纳米至几百纳米厚度金属薄晶体试样中单个晶粒内的位错密度。
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本文件描述了采用辉光放电质谱法(GDMS)测量锗酸铋(BGO)晶体中杂质元素的方法。本文件适用于BGO晶体材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定,测定范围为0.001 μg/g~1 000 μg/g(质量分数)。通过合适的标准样品校正,也适用于测量质量分数大于1 000 μg/g的杂质元素含量。
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GB/T 5832的本部分规定了采用石英晶体振荡法测定气体中微量水分的方法原理、仪器要求、测定步骤、结果处理和试验报告。 本部分适用于氢、氧、氮、氦、氖、氩、氪、氙、六氟化硫、一氧化碳、氧化亚氮、空气等气体及其混合气体中微量水分的测定,不适用于对石英晶体有腐蚀的气体以及能与水分发生反应的气体。测定范围:0.1×10-6(体积分数)~2 000×10-6(体积分数)。
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本标准规定了硒化镉(CdSe)量子点纳米晶体的紫外可见吸收光谱表征方法。
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