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本文件规定了集成电路晶圆制造过程的单位产品能源消耗（以下简称能耗)限额的技术要求、统计范围、计算方法、节能管理与措施。
本文件适用于集成电路晶圆制造企业单位产品能耗的计算与考核，以及对新建及改扩建项目的能耗控制。
本文件不适用于12英寸40 nm及以下工艺制程的集成电路制造企业。

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本标准规定了集成电路封装过程（不包括测试过程)的单位产品能源消耗（以下简称能耗)限额的技术要求、统计范围、计算方法、节能管理与措施。
本标准适用于集成电路封装企业单位产品能耗的计算与考核，以及对新建、扩建项目的能耗控制。
本标准不适用于集成电路模块封装、智能卡封装、存储卡封装企业。

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本标准规定了城市公共交通非接触式IC卡交易终端机的技术要求，包括环境适应性、基本性能、功能与配置、检验规则、功能测试检验方法及标志、包装和储存。
本标准适用于非接触式IC卡交易终端机产品的设计、研发、制造和应用。

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本标准规定了用平板法测定印制电路用刚性覆铜箔层压板(以下简称覆铜板)导热系数的测试原理、 试样、测定仪器、测定环境、测定步骤、结果计算和测定报告。 本标准适用于厚度不小于 1.00 mm 覆铜板导热系数的测定，也适用于厚度不小于 1.00 mm 覆铜板 光板的导热系数的测定。

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本标准规定了用离子色谱法测定印制电路板表面游离氯、溴含量的原理、试剂、仪器设备、分析步 骤、结果计算、精密度及试验报告。 本标准适用于印制电路板表面游离氯、溴含量的测定。最低检出限：0.0006 mg/m2 。

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本标准规定了印制电路用覆铜箔层压板基材厚度测定方法 金相法的仪器、测试程序以及报告。 本标准适用于金相法测定印制电路用覆铜箔层压板基材的厚度，测定范围为 30 μm 以 上 。

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本部分规定了印制电路板中六价铬的方法原理、试剂及材料、仪器，样品制备、分析步骤、结果计 算、精密度和报告。 本部分适用于印制电路板中六价铬的测定，方法检出限为：2 mg/kg。

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本部分规定了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定印制电路板中汞含量的方法原理、试剂、仪器 设备、样品制备、分析步骤、结果计算、精密度、报告。 本部分适用于印制电路板中汞含量的测定。 方法检出限为 5 mg/kg。

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本部分规定了印制电路板中的铅和镉的电感耦合等离子发射光谱仪检测方法的方法原理、仪器、试 剂及材料、样品制备、分析步骤、结果计算、精密度和报告。 本部分适用于印制电路板中的铅和镉的含量的测定。 铅和镉的方法检出限为 0.0003％。

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本部分规定了印制电路板中多溴联苯及多溴二苯醚的气相色谱-质谱法的原理、试剂、仪器工具、 样品制备、分析步骤、结果计算、精密度和报告。 本部分适用于印制电路板中多溴联苯及多溴二苯醚的测定。 多溴联苯及多溴二苯醚的方法检出限为 6 mg/kg。

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本部分规定了印制电路板中卤素的离子色谱测定方法的原理、试剂、仪器工具、样品制备、分析步 骤、计算、精密度和报告。 本部分适用于离子色谱法测定印制电路板中的卤素含量。 氯离子的方法检出限为 0.0009％，溴离子的方法检出限为 0.0009％。

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本部分规定了 X 射线荧光光谱法快速筛选印制电路板中有害物质铅、汞、铬、镉、溴的方法原理、 仪器设备、试剂、样品制备、分析步骤、筛选和报告。 本部分适用于印制电路板中有害物质铅、汞、铬、镉、溴的快速筛选，其中所测定的铬、溴是指样 品中的总铬、总溴。

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