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GB/T 45528-2025 纳米技术 纳米多孔材料孔径及孔径分布测试 荧光探针法 即将实施 发布日期 :  2025-04-25 实施日期 :  2025-11-01

本文件描述了使用荧光探针法测量纳米多孔材料贯通孔孔径及孔径分布的测试方法。
本文件适用于具有纳米尺度的过滤材料贯通孔孔径及孔径分布的测量。其他尺度的多孔材料参考本文件。

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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm~1×104 Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

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GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。

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GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本标准规定了碳纳米管粉体压制成厚块的电阻率的四探针测试方法。
本标准适用于采用四探针法测试试样厚度大于4倍探针间距的碳纳米管粉体电阻率的样品。其他碳材料的粉体电阻率测试可参考执行。

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本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。

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GB/T 13288的本部分规定了对GB/T 132881中的表面粗糙度比较样块的校准和表面粗糙度的触针测定法。
GB/T 13288的本部分也适用于喷射清理后、平均峰谷差在Ry5=20 μm~200 μm范围的平面钢材或复制件的表面粗糙度的测定。测量可在喷射清理表面的代表性区域进行,若不能直接在该表面测量,则可在该表面的复制件上进行测量(参见附录C)。
注: 若需要,也可用于评定其他经磨料喷射清理的基材表面粗糙度。
另一个可选的方法见ISO 8503-3。

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YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法 现行 发布日期 :  2007-11-14 实施日期 :  2008-05-01

本标准规定了用直流两探针法测量区熔锗锭的电阻率。 本标准适用于测量GB/T 11071《区熔锗锭》规定的用梯形舟生产的原生区熔锗锭的电阻率,电阻率测量范围为0.1 Ω·cm~100 Ω·cm。 本标准要求区熔锗锭被测量部分的横截面积沿锭长变化梯度线性,且锭的长度必须大于横截面的最大尺寸和探针间距三倍以上。

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GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

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GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

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GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

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DB32/T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法 现行 发布日期 :  2021-05-14 实施日期 :  2021-06-14

本文件规定了利用四探针动态测定石墨烯粉体电导率的方法。
本文件适用于氧化还原法和化学插层剥离法等方法制备的压实后电导率无宏观各向异性的石墨烯粉体的电导率测定。

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本文件规定了采用导电橡胶探头进行衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻四探针无损测试的方法。本文件适用于目测平坦且表面存在纳米、亚微米尺度薄膜样品的方块电阻测定,方块电阻测试范围为1×10-4 Ω~1×104 Ω。

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YB/T 6166-2024 石墨烯薄膜 方块电阻的测定 四探针法 现行 发布日期 :  2024-03-29 实施日期 :  2024-10-01

本文件规定了石墨烯薄膜的方块电阻测定方法,包括方法原理、仪器设备、测试条件、测试步骤、结果计算与数据采集和测试报告等本文件适用于目视平整、附着在衬底表面的石墨烯薄膜方块电阻的测定,石墨烯薄膜的长和宽均不小于50mm方块电阻的测量范围为1×10-3Ω~1×103Ω本文件也可适用于更高或更低方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估

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SN/T 5315-2021 光催化自洁陶瓷性能测试方法荧光探针法 现行 发布日期 :  2021-11-22 实施日期 :  2022-06-01

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