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- GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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标准简介
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适用范围:
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层,方块电阻的测量范围为10 Ω~5 000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量精确度尚未评估。
标准号:
GB/T 14141-2009
标准名称:
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称:
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array标准状态:
现行-
发布日期:
2009-10-30 -
实施日期:
2010-06-01 出版语种:
中文简体
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