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本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。
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本文件规定了用于计时仪器的各种光致发光涂层的试验方法及其相关要求。 本文件适用于计时仪器零件和试验样品上的光致发光涂层。
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本文件规定了发光强度标准灯、总光通量标准灯(下文在不会引起误解时简称为“标准灯”或“灯”)的分类、分级要求、一般要求、技术要求和试验方法,并给出了常见型号的白炽灯类和卤钨灯类灯的资料性信息。本文件适用于保持和传递光度量值的白炽灯类、卤钨灯类和LED类标准灯,其他类型的标准灯如有需要,也可参考本文件。
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本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
本文件描述了荧光材料光致发光内/外量子效率绝对测量的通用方法。 本文件适用于荧光光谱范围在紫外、可见与近红外波段(200 nm~1 100 nm),激发光波长范围在紫外和可见波段(200 nm~780 nm)的固体和液体荧光材料的测试。
本标准规定了发光二极管照明用玻璃管的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于发光二极管照明用玻璃管,不适用于乳白玻璃管。
本文件规定了采用舟进样化学发光法测定原油中氮含量的方法。本文件适用于测定氮含量为40 mg/kg~10 000 mg/kg的原油。
本标准规定了由单个、多个发光二极管(LED)芯片或器件组成的LED模块热特性瞬态测试方法原理、一般要求、测试步骤、结果分析及计算、测试报告。本标准适用于单个、多个LED芯片或器件封装而成的模块,以及LED芯片或器件和其他微电子器件构成的模块热特性测量。其他多芯片或器件封装而成的模块热特性测量也可参考。
本标准规定了有机发光二极管(OLED)照明优先采用的术语和定义、符号和单位。 本标准适用于以OLED作为光源的照明领域,包括照明领域上中下游,如材料、结构、工艺、设备和性能等。
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本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。
本标准规定了室内和类似场合普通照明用有机发光二极管(OLED)光片和面板的性能要求。 本标准适用于不超过120 V直流电源或不超过50 V频率为50 Hz或60 Hz交流电源供电的单面发光的OLED光片和面板。 注: 现阶段部分性能要求仍在考虑中,例如OLED面板的颜色均匀性等。
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片。
本文件规定了有机发光二极管(OLED)电视机(以下简称OLED电视机)的一般要求、外观、结构、基本功能、显示格式、接口、性能、产品说明和标志,描述了相应的测量方法。本文件适用于OLED电视机的产品设计、生产定型和检验,其他OLED显示设备参考使用。
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