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【国家标准】 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

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适用范围：

本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 24574-2009

  • 标准名称：

    硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法

  • 英文名称：

    Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《Ⅲ-Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法》 MOD 修改采用

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    18 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    李静 何秀坤 蔺娴

  • 起草单位：

    信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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