GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

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This standard specifies a test method of semiconductor nanopowder using UV-Vis diffuse reflectance spectroscopy.This standard is applicable to the measurement of diffuse reflectance spectrum of opaque semiconductor nanopowder.

定价： 588元 / 折扣价： 500 元 加购物车

本标准规定了近红外光致发光光谱方法表征半导体性单壁碳纳米管的原理的基础上，规范了使用仪器、制样方法、测量步骤、实验数据处理及结果分析、不确定度影响因素分析和测试报告等内容。
本标准适用于利用近红外光致发光光谱方法表征半导体性单壁碳纳米管手性指数和相对质量浓度。

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GB/T 39771的本部分规定了半导体发光二极管（以下简称LED）的光辐射安全的一般要求、测试要求、测试方法。
本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域（300 nm～780 nm）的单芯片或多芯片LED。

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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

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定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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2.1　本标准定义了设备的六个基本状态，所有的设备条件和阶段都必须归入这六个状态。设备的状态由功能决定，而不管是由谁来执行此功能。本规范中所涉及的设备可靠性的测量主要集中在设备失效和设备使用的关系上，而不是设备失效和设备经历的(日历)总时间之间的关系。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

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GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

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本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一

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本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。

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本部分给出GB/T 3859.1涵盖的基本要求规范在不同情况下的应用导则，以使GB/T 3859.1中的规定以可控的形态适应于特殊应用。为便于使用GB/T 3859.1，在技术关键点处给出了背景信息。
本部分主要涵盖电网换相变流器。就现行标准不可能提供必要的资料而言，本部分本身不是规范（除非涉及某些辅助部件）。

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