GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

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GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。
本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序，以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。
除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。

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GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

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本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

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本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm～1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面，在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度，此外，界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化，极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法，以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛，用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广，本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。

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本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。

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本标准规定了半导体纳米粉体材料的紫外可见漫反射光谱测试方法。
本标准适用于不透光半导体纳米粉体材料漫反射光谱的测试。

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本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。
本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

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本文件规定了焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法。
本文件规定的测量方法，在符合下述约定条件下，为用户提供尺寸保证：
a) 测量一般采用手工或自动方式进行；
b) 如果某个尺寸不易直接测量，则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。

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This standard specifies a test method of semiconductor nanopowder using UV-Vis diffuse reflectance spectroscopy.This standard is applicable to the measurement of diffuse reflectance spectrum of opaque semiconductor nanopowder.

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本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

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GB/T 39771的本部分规定了半导体发光二极管（以下简称LED）的光辐射安全的一般要求、测试要求、测试方法。
本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域（300 nm～780 nm）的单芯片或多芯片LED。

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