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GB/T 20726-2006 半导体探测器X射线能谱仪通则 被代替 发布日期 :  2006-12-25 实施日期 :  2007-08-01

本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪(EDS)特性最重要的量值。本标准仅适用于固态电离作用原理的半导体探测器EDS。本标准只规定了与电子探针(EPMA)或扫描电镜(SEM)联用的此类EDS的最低要求,至于如何实现分析则不在本标准的规定范围之内。

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GB/T 12750-1991 半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) 被代替 发布日期 :  1991-03-21 实施日期 :  1991-11-01

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JJF 1895-2021 半导体器件直流和低频参数测试设备校准规范 现行 发布日期 :  2021-02-23 实施日期 :  2021-08-23

本规范适用于半导体器件直流和低频参数测试设备的校准。

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GB/T 12669-1990 半导体变流串级调速装置总技术条件 被代替 发布日期 :  1990-12-29 实施日期 :  1991-10-01

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GB/T 14028-1992 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 被代替 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 12667-1990 同步电动机半导体励磁装置总技术条件 被代替 发布日期 :  1990-12-29 实施日期 :  1991-10-01

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GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 被代替 发布日期 :  1992-07-01 实施日期 :  1993-03-01

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GB/T 14112-1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 被代替 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 被代替 发布日期 :  1984-04-12 实施日期 :  1985-03-01

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GB/T 4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 被代替 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 被代替 发布日期 :  1995-04-18 实施日期 :  1995-12-01

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GB/T 8446.1-2004 电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 被代替 发布日期 :  2004-02-04 实施日期 :  2004-08-01

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GB/T 21548-2008 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法 被代替 发布日期 :  2008-03-31 实施日期 :  2008-11-01

本标准规定了高速(622 Mbit/s~10 Gbit/s)脉码光纤通信系统中采用非归零码直接强度调制半导体激光器(主要是多量子阱分布反馈激光器)及其组件的术语、定义、分类、主要技术参数测量方法。此外,考虑到激光器测量方法以及相关试验、检验方法的完整性,作为附录,也规定了激光器在模拟系统中常用的几个参数的测量方法以及可靠性试验方法和产品检测方法(或规则)。 本标准适用于SDH、WDM、以太网等高速脉码光纤通信系统中所用直接强度调制半导体激光器及其组件的光电特性测量;模拟光通信系统和其他光系统中激光器及其组件的光电特性测量或检测也可用作参考。

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GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/□~3×103 Ω/□。

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GB/T 11713-1989 半导体γ谱仪分析低比活度 γ放射性样品的标准方法 被代替 发布日期 :  1989-09-21 实施日期 :  1990-07-01

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