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本文件规定了300 mm 晶圆半导体设备装载端口的尺寸要求,主要包括半导体设备与产线之间的物理接口。 本文件适用于半导体设备设计与制造领域。
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本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。
本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。
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本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。
本标准适用于GB/T 3859所包括的变流器设备的二极管和晶闸管堆、变流器装置的变流联结。 本标准规定的仅仅是最主要和最常用的、由阀器件构成的变流联结,并可用于作为堆和装置整个额定值代号的一部分。 本标准的适当部分也可用于其他标准涉及电力电子变换的阀器件堆和装置的变流联结。
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本标准规定了半导体激光测距仪的要求、试验方法、检验规则、包装、运输和标志等内容。 本标准适用于半导体激光测距类仪器。
本标准规定了为保证半导体生产设施与用于生产半导体器件的设备能一起可靠运行的电磁兼容性(EMC)要求。 本标准适用于生产半导体器件的设施和设备,这些设施和设备涵盖所有的设施警报、安全、通信与控制系统、工艺设备、测量设备、自动化设备以及信息技术设备。 本标准不适用于集成电路的封装与功能测试所采用的设备和设施,也不适用于可能在半导体生产过程中产生的静电。
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本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
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本分规范适用于已封装的半导体集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路。
本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。
本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。
本部分适用于下列各类晶闸管: ——(反向阻断)(三极)晶闸管; ——不对称(反向阻断)(三极)晶闸管; ——反向导通(三极)晶闸管; ——双向三极晶闸管; ——门极可关断晶闸管(GTO晶闸管)。 本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。
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GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法,以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。 本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具,但并不确保相同编码的封装具有互换性。
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