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GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。

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GB/T 42836-2023 微波半导体集成电路 混频器 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

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GB/T 42837-2023 微波半导体集成电路 放大器 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。
本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

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GB/T 2900.66-2004 电工术语 半导体器件和集成电路 现行 发布日期 :  2004-05-10 实施日期 :  2004-12-01

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GB/T 29299-2012 半导体激光测距仪通用技术条件 现行 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-06-01

本标准规定了半导体激光测距仪的要求、试验方法、检验规则、包装、运输和标志等内容。
本标准适用于半导体激光测距类仪器。 

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GB/T 30116-2013 半导体生产设施电磁兼容性要求 现行 发布日期 :  2013-12-17 实施日期 :  2014-04-15

本标准规定了为保证半导体生产设施与用于生产半导体器件的设备能一起可靠运行的电磁兼容性(EMC)要求。
本标准适用于生产半导体器件的设施和设备,这些设施和设备涵盖所有的设施警报、安全、通信与控制系统、工艺设备、测量设备、自动化设备以及信息技术设备。
本标准不适用于集成电路的封装与功能测试所采用的设备和设施,也不适用于可能在半导体生产过程中产生的静电。

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GB/T 42835-2023 半导体集成电路 片上系统(SoC) 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了片上系统(SoC)的技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于片上系统(SoC)的设计、制造、采购、验收。

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GB/T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

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GB/T 7423.1-1987 半导体器件散热器 通用技术条件 现行 发布日期 :  1987-03-16 实施日期 :  1987-11-01

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GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管 现行 发布日期 :  2015-12-31 实施日期 :  2017-01-01

本部分适用于下列各类晶闸管:
——(反向阻断)(三极)晶闸管;
——不对称(反向阻断)(三极)晶闸管;
——反向导通(三极)晶闸管;
——双向三极晶闸管;
——门极可关断晶闸管(GTO晶闸管)。
本部分不适用晶闸管浪涌抑制器和双向二极晶闸管。

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GB/T 15873-1995 半导体设施接口技术文件编写导则 现行 发布日期 :  1995-12-22 实施日期 :  1996-08-01

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GB/T 10236-2006 半导体变流器与供电系统的兼容及干扰防护导则 现行 发布日期 :  2006-11-08 实施日期 :  2007-04-01

本标准规定了半导体变流器与供电系统兼容问题,并提供相互干扰的处理原则和方法。 本标准是GB/T 3859在半导体变流器与供电系统兼容方面的补充。 本标准适用于电网换相半导体变流器,其他类型的半导体变流器可以参照使用。 本标准不涉及音频和射频方面兼容性问题。

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GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 现行 发布日期 :  2016-08-29 实施日期 :  2017-03-01

本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。

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GB/T 15651的本部分规定了半导体激光器的基本额定值、特性及测试方法。

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