1.1　本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2　本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3　本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

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本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范，包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注： 字母数字标志及关联信息存入数据库，可被简单的自动光学字符读数（OCR）仪或人工进行独立、快速识别，确保晶片制造商对晶片标记的一致性。

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本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。

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本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。
本标准适用于测量直径不小于25 mm，厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

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本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。

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本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

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本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。
本文件适用于电阻率大于1 Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。

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本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。
本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

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This standard specifies the requirements, test methods, inspection rules, marking, packaging, transportation, storage, quality certificate and content of ordering (or contract) of multi-crystalline silicon wafers (hereinafter referred to as silicon wafers) for photovoltaic solar cells.
This standard is applicable to casting multi-crystalline silicon wafers (including quasi-monocrystalline silicon wafers) for solar cells.

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本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

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本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

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本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm，厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

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本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。

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本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜厚度的方法。本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅薄膜和多晶硅薄膜的厚度，也适用于所有光滑的、透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试，如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm～105 nm。

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