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【国家标准】 纳米技术　晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

本网站 发布时间： 2017-12-01
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适用范围：

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 33657-2017

  • 标准名称：

    纳米技术　晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

  • 英文名称：

    Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2017-05-12

  • 实施日期：

    2017-12-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.200

  • 中标分类号：

    L56

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    16 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    陈一峰、陈小刚、宋志棠

  • 起草单位：

    中国科学院上海微系统与信息技术研究所

  • 归口单位：

    全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)

  • 提出部门：

    中国科学院

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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