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- GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
【国家标准】 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
本网站 发布时间:
2017-12-01
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标准简介
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适用范围:
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
标准号:
GB/T 33657-2017
标准名称:
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
英文名称:
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells标准状态:
现行-
发布日期:
2017-05-12 -
实施日期:
2017-12-01 出版语种:
中文简体
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