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- YS/T 26-2016 硅片边缘轮廓检验方法
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标准号:
YS/T 26-2016
标准名称:
硅片边缘轮廓检验方法
英文名称:
Test methods for edge contour of silicon wafers标准状态:
现行-
发布日期:
2016-07-11 -
实施日期:
2017-01-01 出版语种:
中文简体
- 其它标准
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ICS77.040
H21
中华人民共和国有色金属行业标准
YS/T26—2016
代替 YS/T26—1992
硅片边缘轮廓检验方法
Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers
2016-07-11发布 2017-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部 发 布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替YS/T26—1992《硅片边缘轮廓检验方法》。与YS/T26—1992相比,本标准主要变动
如下:
———增加了规范性引用文件、术语和定义、干扰因素等;
———增加了非破坏性检验方法B、方法C。
本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。
本标准起草单位:洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份
有限公司。
本标准主要起草人:田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———YS/T26—1992。
Ⅰ
YS/T26—2016
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