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【行业标准】 硅片边缘轮廓检验方法

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标准简介标准简介

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适用范围：

本标准规定了硅片边缘轮廓（包含切口)的检验方法。
本标准适用于检验倒角硅片的边缘轮廓（包含切口)，砷化镓等其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照本标准执行。

基本信息

  • 标准号：

    YS/T 26-2016

  • 标准名称：

    硅片边缘轮廓检验方法

  • 英文名称：

    Test methods for edge contour of silicon wafers

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2016-07-11

  • 实施日期：

    2017-01-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    16 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫

  • 起草单位：

    洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司

  • 归口单位：

    全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

  • 提出部门：

    全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)

  • 发布部门：

    中华人民共和国工业和信息化部
  • 其它标准
ICS77.040 H21 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T26—2016 代替 YS/T26—1992 硅片边缘轮廓检验方法 Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers 2016-07-11发布 2017-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替YS/T26—1992《硅片边缘轮廓检验方法》。与YS/T26—1992相比,本标准主要变动 如下: ———增加了规范性引用文件、术语和定义、干扰因素等; ———增加了非破坏性检验方法B、方法C。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)提出并归口。 本标准起草单位:洛阳单晶硅集团有限责任公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份 有限公司。 本标准主要起草人:田素霞、李战国、苗利刚、焦二强、安瑞阳、邵成波、王文卫。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———YS/T26—1992。 Ⅰ YS/T26—2016

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