本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱（SIMS）仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器，但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导，这些参数能使用此程序进行优化，还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。

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本文件规定了化学品固液鉴别流动性测定法的试验概述、试验设备、样品处理、试验步骤和结果判定。本文件适用于不能确定熔点的黏性或糊状化学品的固体与液体形态鉴别。

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本文件界定了在AEM实践中所用的术语。包含一般概念和特定概念的术语，按照系统顺序中各自的层次分类。
本文件适用于所有和 AEM 实践相关的标准化文件。此外，本文件的某些部分适用于相关领域（如 TEM, STEM, SEM, EPMA, EDX)通用术语的定义。

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本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导，包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。

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本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。
本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。
本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。
注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。

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本文件描述了用氩气吸附静态容量法测定石墨烯粉体比表面积的方法。
本文件适用于测定具有Ⅱ型(分散的、无孔或大孔)和Ⅳ型(介孔，孔径2 nm~50 nm)吸附等温线的石墨烯粉体的比表面积。含有少量微孔、吸附等温线呈现出Ⅱ型和Ⅰ型相结合或Ⅳ型和Ⅰ型相结合的石墨烯粉体的比表面积测定亦适用。其他类型的碳基纳米材料，如碳纳米管、碳纤维、多孔炭等比表面积的测定参照使用。

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本文件描述了分析人员利用全反射X射线荧光(TXRF)仪器开展水样测量的化学方法。根据良好的操作实践，本方法具有确定的准确度和精密度。本文件适用于开展大量样品常规分析且按照ISO/IEC 170251)运作的实验室。
本文件描述了水(例如，饮用水、地表水、地下水)中溶解性元素含量的测定方法。考虑到特定和额外发生的干扰，按照本方法也能测定废水和洗脱液中的元素。本文件不包括采样、稀释和预浓缩方法。
本方法能测定的元素会随着仪器X射线源的改变而发生变化。本文件未涉及健康、安全和商业因素。
测量范围取决于样品基体和遇到的干扰。对于饮用水和相对未被污染的水，大多数元素的定量限介于0.001 mg/L~0.01 mg/L。测量范围通常介于0.001 mg/L~10 mg/L的浓度区间，取决于测量元素和预先设定的要求。
附录B给出了钼靶X射线源、Ga作为校准内标时的TXRF分析水样的完整方法验证示例。
大多数元素的定量限会受到空白污染的影响，且主要依赖于所使用的实验室空气处理设施以及试剂的纯度和实验器具的清洁程度。

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本文件描述了采用辉光放电质谱法（GDMS)测量锗酸铋（BGO)晶体中杂质元素的方法。本文件适用于BGO晶体材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 μg/g~1 000 μg/g（质量分数)。通过合适的标准样品校正，也适用于测量质量分数大于1 000 μg/g的杂质元素含量。

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本文件提供了在表面化学分析前生物材料样品的处理、安装和表面处理方法的指导。其目的是帮助分析人员了解在进行分析时，使用如下技术对特殊样品处理所需的条件：
——X射线光电子能谱(XPS)或化学分析电子能谱 (ESCA)；
——二次离子质谱 (SIMS)；
——俄歇电子能谱(AES)。
所提出的方法也适用于其他对表面组成分析灵敏的技术，如：
——衰减全反射傅里叶变换红外光谱 (ATR-FTIR)；
——全反射X射线荧光光谱(TXRF)；
——紫外光电子能谱 (UPS)。
本文件阐述了所用真空条件的影响和检测前后及植入前后的污染问题，以及在检测过程中与污染相关的问题。这里的生物材料包括硬质和软质，如金属、陶瓷、支架和聚合物。
本文件不包括诸如细胞、组织和生物体等活体生物材料。本文件中不涵盖的其他相关主题还包括电子显微镜或光学显微镜的样品制备。

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本文件给出了在数据表、分析证书、涉及制备用于表面化学分析时纳米物体处理的报告或其他出版物中应报告的信息。这些信息对于确保促进应用这些材料的研究和技术所需的分析可靠性和再现性是必需的，并获得对可能的纳米物体环境和生物影响的恰当理解。这些信息除了其他与样品的合成、加工历史及表征有关的详细资料外，并宜成为有关材料来源和其自产生以来发生的变化的数据记录（有时被确认为源信息）的一部分。
本文件包括了资料性附录。附录总结了与纳米物体相关的挑战性问题，强调了需要在材料数据记录中加强文件化和报告（见附录A）,并提供了通常从用于表面化学分析的溶液中提取颗粒的方法示例（见附录B）。相关样品数据的示例集展示于附录C。
本文件未规定确保所描述的分析测量得到恰当实施所需的仪器类型或操作程序。

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本文件规定了利用透射电子显微镜（TEM）测量金属薄晶体中位错密度的设备、试样、测定方法、数据处理、测定结果的不确定度和试验报告。本文件适用于测定晶粒内不高于1×1015m-2的位错密度。也适用于测量几十纳米至几百纳米厚度金属薄晶体试样中单个晶粒内的位错密度。

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本文件规定了聚焦离子束法制备透射电镜试样的仪器设备、环境与样品要求、试样制备和试验记录。
本文件适用于金属材料，半导体、矿物等无机非金属材料及高分子材料等固态材料的透射电镜试样制备。
本文件适用于各种类型的聚焦离子束场发射扫描电镜双束系统，单束系统和多束系统参照执行。

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本文件规定了用聚焦离子束扫描电镜对致密岩石微孔隙进行三维成像的方法。
本文件适用于泥岩、页岩、致密碳酸盐岩、致密砂岩和煤岩等岩石50 nm~20 μm的微纳米级孔隙分析，其他地质样品参照执行。

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本文件描述了在常规分析条件下从特定样品获得的X射线光电子能谱(XPS)数据中评估元素检测限并给出报告的程序。本文件适用于均匀材料，对XPS信息深度内元素深度分布不均匀的材料不适用。

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本标准规定了有关工业用化学产品采样的最常用的术语。

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